Физический энциклопедический словарь - компенсированный полупроводник

305

личие даже малой концентрации компенсирующей примеси (при нек-рых условиях) позволяет управлять величиной и температурной зависимостью концентрации осн. носителей. Для полупроводника n-типа, компенсированного акцепторами (Nд>>Na, где Nд— концентрация доноров, Na— концентрация акцепторов), концентрация эл-нов в зоне проводимости описывается ф-лой:

Здесь Т — абс. темп-ра, Nс— эфф. плотность состояний в зоне проводимости, I — энергия ионизации донора, g0 и g1— статистич. веса пустого и заполненного донорных уровней. При достаточно высоких темп-pax, когда

(Nд-Na)n1/(Na+n1)²<<1 и n1>>Nа; n=Nд-Nа. При низких темп-pax, когда n1<<Nа и n1<<(Nд-Nа)^-1N²a,

Из (2) следует, что концентрация компенсирующих акцепторов сильно влияет на концентрацию эл-нов проводимости и может изменять её на много порядков. Это означает, что введением соответствующих примесей можно изменять электрич., оптич. и др. св-ва ПП.

• См. лит. при ст. Полупроводники.

Э. М. Эпштейп.